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HORIBA GD-Profiler 2? 簡介

產品參數

產品品牌

HORIBA堀場

產品類型

光譜儀

可售賣地

面議

價格區間

面議

供貨總量

面議

售后服務

完善

產品簡介

GD-OES 是一種可對層狀材料進行超快速元素深度剖析技術，同時能以納米級深度分辨率對所有元素和厚度進行定量測量。HORIBA 的脈沖射頻 GDOES 儀器配備差分干涉輪廓術(DiP)，是材料研究和工藝開發的理想表征工具。創新的脈沖射頻源可對各種固體樣品進行最佳性能的深度剖析，從最初幾納米到超過 150 微米。采用專利的超快速濺射技術(UFS)，高分子材料可輕松實現濺射。此外，該源還可用于制備掃描電子顯微鏡(SEM)所需的樣品表面。可測量所有元素，包括氫、氘、鋰、碳、氮、氧等。專利的差分干涉輪廓測量技術(DiP)可直接測量深度隨時間變化的函數關系，具有納米級精度，且與輝光放電(GD)分析同步進行。所有 HORIBA 輝光放電儀器均采用專利的高動態范圍檢測器(HDD)，可實時自動優化靈敏度，既能分析單層中的痕量元素，又能無損檢測第二層中的主量元素，無需任何調整

HORIBA GD-Profiler 2? 詳情介紹

射頻發生器是 E 類標準，對穩定性和濺射坑形狀都進行了優化以滿足實時表面分析。
射頻源可以分析傳統和非傳統鍍層和材料，對于易碎樣品，還可以使用脈沖式同步采集優化測試。
從 110nm到 800nm 同步全光譜覆蓋，包括分析 H、O、C、N 和 Cl 的深紫外通道。
HORIBA 研發的離子刻蝕型全息光柵具有高的光通量和光譜分辨率，光學效率和靈敏度都表現優良。
HDD 探測器兼具檢測速度和靈敏度。
內置的微分干涉儀DIP可實時測量濺射坑深度和剝蝕速率。
寬敞簡潔的大樣品倉易于裝卸樣品，操作簡單。
QUANTUM™ 軟件配置了Tabler 報告編寫工具。
專利激光中心定位裝置（專利號：Fr0107986/國際專利種類：G01N 21/67）可定位樣品測試位置。

HORIBA 的輝光放電光譜儀可以選配單色儀，實現n+1元素通道的同時也提高了設備的靈活性。

HORIBA GD-Profiler 2?產品規格

輝光源結合超快速、高分辨的同步光學器件，可對導體、非導體和復合材料進行快速元素深度剖析。

適用于薄膜和厚膜——從納米到數百微米，且具有納米級深度分辨率。

典型應用領域包括光伏、冶金、LED 制造、腐蝕研究、有機和微電子、材料研發、沉積工藝優化、PVD、CVD、等離子涂層、汽車、鋰電池等。

不需要超高真空。

使用高動態探測器可以測量所有感興趣的元素（包括 H、D、O、Li、Na、C、N 等）。

可選附件單色儀配備的也是高動態探測器，可在image模式下做全譜掃描，極大的增加了設備的靈活性。

脈沖式射頻源，可選擇在常規射頻模式和脈沖式射頻模式下工作，且可全自動匹配。

輝光源采用差速雙泵真空系統，可為SEM制備樣品。

內置等離子清洗功能。

超快速濺射模式UFS可快速分析聚合物和有機材料。

內置的微分干涉儀DIP，可直接在線測定深度。

用于異形樣品測試的各種銅陽極和附件。

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關于進佳儀器

上海進佳科學儀器有限公司，擁有多個國外儀表行業品牌的授權代理證，旗下每一個品牌均歷經市場的考驗。公司團隊擁有豐富的從業經驗以及扎實的專業知識，對各個品牌的產品優勢和市場定位有深入了解。公司始終秉持以客戶為中心的理念，致力于為客戶提供全方位、個性化的服務解決方案。

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